IBM urmeaza sa prezinte, in aceste zile, ceea ce a numit drept cel mai rapid tranzistor pe baza de siliciu, la numai cateva saptamani dupa si Intel, si-a prezentat un produs similar, de asemenea considerat drept cel mai rapid.
Tranzistorul IBM urmeaza inregistreaza performante cu 80% mai mari decat modelele precedente si functioneaza la jumatate din puterea de consum a acestora.
De asemenea, se spune ca tranzistorul are o viteza de 210 gigaherti, net superioara celor care se gasesc astazi pe piata. Expertii in semiconductori sustin ca intre cele doua procesoare nu exista termeni de comparatie, deoarece sunt tipuri diferite si nici macar nu au functii asemanatoare.
Noul tranzistor este bazat pe un proces de fabricare cu un amestec de siliciu si germaniu, considerat, pana nu de mult, drept “exotic”.
Un analist de la Dataquest din California a spus ca tranzistorul IBM va avea un impact deosebit asupra viitorului telefoanelor celulare bazate pe tehnologia 3G, chiar daca, initial, el va fi aplicat doar in comunicarea cu fibra optica.
Cel care a condus cercetarile IBM, Bernard S. Meyerson, a declarat ca descoperirea echipei sale e inca departe de limitele fizice ale tehnologiei.